- Gần đây, xuất hiện thông tin về vi xử lý Snapdragon 8 Gen 3 của Qualcomm sẽ được trang bị cho dòng Galaxy S24.
Theo chuyên gia có tên RGcloudS đã chia sẻ trên mạng xã hội Twitter, bộ xử lý ứng dụng (AP) hàng đầu thế hệ tiếp theo của Qualcomm sẽ giúp điểm lõi hiệu năng cao X-4 tăng 15%, tốc độ xung nhịp lên 3,70 GHz.
Nhiều nguồn tin trước đó cũng cho rằng, vi xử lý Snapdragon 8 Gen 3 sẽ được sản xuất bằng nút quy trình 4nm của TSMC. Nhưng có một số khác biệt lớn giữa các thông số kỹ thuật được đồn đại. Trong khi một số chuyên gia kỳ vọng chipset sắp tới sẽ có 1 lõi X-4 hiệu suất cao, 4 lõi hiệu năng và 3 lõi hiệu suất tương tự như Snapdragon 8 Gen 2, thì một vài ý kiến khác cho rằng, Snapdragon 8 Gen 3 có cấu hình 1-5-2.
Cũng có chuyên gia hy vọng, lõi hiệu suất cao X-4 sẽ chạy ở tốc độ xung nhịp 3,2 GHz, bằng với tốc độ mà lõi X-3 chạy trên chipset Gen 2 hiện tại. Cùng với đó, con chip này sẽ có 5 lõi hiệu năng Cortex-A720 chạy ở tốc độ 3.0GHz và 2 lõi hiệu suất Cortex-A520 chạy ở tốc độ 2.0GHz. Đi kèm con chip này là chip đồ họa GPU Adreno 750, modem Snapdragon X75 5G (với hiệu suất năng lượng được cải thiện 20%) và hỗ trợ RAM LPDDR5 cũng như Bộ lưu trữ flash vạn năng (UFS) 4.1.
Chipset này có thể được tích hợp cho dòng Samsung Galaxy S24 vào năm tới. Tháng trước, giới chuyên môn đã cho rằng, con chip này có thể được Qualcomm giới thiệu vào tháng 10 năm nay, tức là sớm hơn một tháng so với thời điểm ra mắt chipset Snapdragon 8 Gen 2 vào tháng 11 năm ngoái.
Các chuyên gia có lẽ đang quan tâm đến cách thức xây dựng chipset. Trong khi, Apple đã dừng hợp tác sản xuất chip 3nm với TSMC trong năm nay, thì có vẻ như chip mới sẽ một lần nữa được sản xuất bằng quy trình 4nm của TSMC, đây thực sự là một quy trình 5nm nâng cao.
Trước đó, phiên bản đặc biệt của chip Snapdragon 8 Gen 2 được sản xuất cho điện thoại Galaxy có lõi X-3 hiệu suất cao với xung nhịp tăng 15% lên 3,36 GHz. Các chuyên gia cho rằng, vi xử lý Snapdragon 8 Gen 3 dành cho Galaxy cũng sẽ đi kèm với lõi X-4 hiệu suất cao được ép xung.
Hoàng Thanh