- Keysight vừa công bố hệ thống PathWave Advanced Design System (ADS) 2023 cho thiết kế tốc độ cao (HSD) với các tính năng thiết kế bộ nhớ mới Memory Designer dành cho mô hình hóa và mô phỏng các tiêu chuẩn giao diện thế hệ sau, chẳng hạn như giao diện tốc độ dữ liệu kép Double Data Rate 5 (DDR5).

Trong bối cảnh băng thông của trung tâm dữ liệu ngày càng cao, kỳ vọng về hiệu năng của máy chủ và điện toán hiệu năng cao là các yếu tố thúc đẩy nhu cầu về bộ nhớ mật độ cao, tốc độ siêu nhanh hay Bộ nhớ RAM động (DRAM) DDR5. Vận hành ở tốc độ dữ liệu cao gấp đôi DDR4 nên biên thiết kế bị thu hẹp, khiến cho các nhà thiết kế phần cứng gặp khó khăn trong việc tối ưu hóa các bảng mạch in (PCB) để giảm thiểu các hiệu ứng phản xạ, xuyên nhiễu và trượt (jitter). Ngoài ra, hiệu điện thế thấp, dòng điện cao và các yêu cầu mới về cân bằng trong bộ thu DRAM tạo ra những thách thức mới, khó xử lý và chi phí cao, về tính toàn vẹn của tín hiệu.

Giải pháp PathWave ADS 2023 dành cho thiết kế số tốc độ cao của Keysight bảo đảm thiết lập nhanh chóng mô phỏng và các phép đo lường tiên tiến, đồng thời cung cấp cho các nhà thiết kế thông tin trọng yếu để giải quyết các thách thức về tính toàn vẹn của dữ liệu. Tính năng Memory Designer của giải pháp nhanh chóng tạo ra các trục bộ nhớ theo tham số bằng tính năng mô phỏng trước pre-layout builder, cho phép các nhà thiết kế khám phá các lựa chọn cân bằng trong hệ thống, giúp giảm thời gian thiết kế và giảm rủi ro phát triển sản phẩm cho các hệ thống bộ nhớ DDR5, bộ nhớ tốc độ kép, công suất thấp Low-Power Double Data Rate (LPDDR5 / 5x), và bộ nhớ tốc độ kép đồ họa Graphics Double Data Rate (GDDR6/7).

Giải pháp PathWave ADS 2023 dành cho thiết kế số tốc độ cao của Keysight hàm chứa những cải tiến trong tính năng Memory Designer dành cho mô phỏng DDR5, mang đến cho khách hàng những lợi ích chính như Mô phỏng và mô hình hóa chính xác; Thời gian mô phỏng nhanh; Liên kết mô phỏng với đo thử.

PathWave ADS 2023 hỗ trợ nhiều tiêu chuẩn thế hệ sau: LPDDR4, LPDDR5, GDDR6, GDDR7, HBM2/2E, HBM3 và NAND. Dự báo chính xác thời điểm đóng và cân bằng biểu đồ mắt dữ liệu (data eye): giảm thiểu tác động của trượt tín hiệu jitter, xuyên nhiễu và xuyên âm bằng cách sử dụng mô hình hóa chỉ tiêu kỹ thuật thông tin bộ nhớ đệm I/O (Input-Output) - giao diện mô hình hóa thuật toán (IBIS-AMI) với đồng bộ nguồn, mô phỏng bus DDR và chiết xuất điện từ (EM) chính xác để định tuyến tín hiệu PCB.

Rút ngắn thời gian đưa sản phẩm ra thị trường nhờ môi trường thiết kế duy nhất, có thể tạo điều kiện khám phá các bản sao song sinh số trước khi chip được chế tạo để đáp ứng các nhu cầu tích hợp hiện tại, chẳng hạn định thời và đồng bộ nguồn, mô hình hóa giao diện mô hình thuật toán IBIS (IBIS-AMI), các bài đo tuân thủ và các khó khăn thách thức trong tương lai như điều chế xung mã 4 mức (PAM4) một chiều, để khám phá tiêu chuẩn DDR6.

PathWave ADS 2023 nhanh chóng tạo các trục bus nhờ tính năng pre-layout builder theo tham số, tạo điều kiện cho các nhà thiết kế nhanh chóng tạo ra các trục bus rộng cho tín hiệu bộ nhớ và dễ dàng lập sơ đồ linh hoạt để khám phá các khả năng cân đối trade-off;  Hoàn thành mô phỏng nhanh hơn tới 80%: điện toán hiệu năng cao (HPC) đám mây sử dụng xử lý song song để đẩy nhanh tốc độ run times của Memory Designer và mô phỏng EM.

PathWave ADS 2023 cũng tự động hóa luồng quy trình công việc nhờ kết nối dễ dàng giữa các miền mô phỏng và đi kiểm, cho phép so sánh dữ liệu đã được lưu trữ với kết quả đo được từ các sản phẩm nguyên mẫu vật lý.

Phạm Lê