- Công ty đầu tư KMIB News báo cáo rằng, TSMC – Xưởng đúc bán dẫn của Đài Loan đạt 80% năng suất sản xuất chip 4nm so với 75% của Samsung Foundry thuộc Tập đoàn Samsung. Năng suất là tỷ lệ phần trăm khuôn trên một tấm wafer silicon (tấm đĩa bán dẫn) đáp ứng được kiểm soát chất lượng. Mặc dù hiệu suất của TSMC vượt qua Samsung Foundry ở quy trình 4nm, nhưng lại là một câu chuyện khác ở nút 3nm tiên tiến hiện tại, cho thấy hiệu suất của Samsung là 60% so với 55% của TSMC.

90% sản lượng chip 3nm của TSMC được cho là dành riêng cho chip A17 Bionic của Apple. Chipset này sẽ được sử dụng trên iPhone 15 Pro và iPhone 15 Pro Max vào cuối năm nay và những điện thoại này có thể sẽ là thiết bị cầm tay lớn duy nhất được phát hành vào năm 2023 được cung cấp sức mạnh bởi bộ xử lý ứng dụng 3nm. A17 Bionic sẽ mạnh mẽ hơn và tiết kiệm năng lượng hơn so với chipset A16 Bionic 4nm nhờ các bóng bán dẫn bổ sung mà kích thước tính năng nhỏ hơn mà nút quy trình 3nm cho phép.

Nếu hiệu suất của chip 3nm do Samsung Foundry sản xuất tiếp tục vượt qua hiệu suất 3nm của TSMC, công ty của SamSung có thể giành lại một số hoạt động kinh doanh đã mất khi hiệu suất của chip 4nm của họ là 35% ( một con số khá thất vọng) vào đầu năm 2022 so với 70% của TSMC. Một khách hàng lớn của Samsung Foundry đã chuyển đổi vào thời điểm đó là Qualcomm, công ty đã tin tưởng hợp tác với công ty của Samsung để sản xuất vi xử lý Snapdragon 8 Thế hệ 1. Nhà thiết kế chip có trụ sở tại San Diego đã chuyển sang hợp tác với xưởng đúc của TSMC để tạo ra chipset Snapdragon 8+ Thế hệ 1 và Snapdragon 8 Thế hệ 2. Cả hai con chip này đều được sản xuất trên quy trình 4nm.

Mặc dù TSMC sẽ sản xuất chip Snapdragon 8 Gen 3 theo tin đồn, nhưng đối với chip Snapdragon 8 Gen 4, dự kiến sẽ được công bố vào cuối năm tới, Qualcomm có thể xem xét chiến lược nguồn kép dẫn đến việc cả Samsung Foundry và TSMC đều sản xuất Snapdragon 8 Gen 4. Tương tự, TSMC và Samsung đều chia sẻ việc sản xuất chip A9 cung cấp năng lượng cho iPhone 6s và iPhone 6s Plus vào năm 2015. Phiên bản chip của Samsung được xây dựng trên quy trình 14nm trong khi biến thể của TSMC được sản xuất bằng quy trình 16nm.

TSMC và Samsung sử dụng các công nghệ khác nhau cho các nút 3nm của họ. Samsung sử dụng cổng tất cả xung quanh (GAA) cho phép cổng tiếp xúc với kênh ở cả bốn phía. Điều này cho phép rò rỉ dòng điện ít hơn và dòng điện truyền động lớn hơn. Các tín hiệu điện đi qua các bóng bán dẫn vượt trội dẫn đến hiệu suất chip tốt hơn. TSMC vẫn sử dụng công nghệ bóng bán dẫn FinFET cho nút quy trình 3nm, cho phép cổng tiếp xúc với kênh ở ba phía. TSMC sẽ chuyển sang công nghệ GAA cho nút 2nm của mình. Hiện tại, quá trình sản xuất 3nm của Samsung có thể được coi là vượt trội về mặt công nghệ.

Vẫn chưa rõ liệu Samsung có thực hiện một thay đổi khác với vi xử lý mà hãng sẽ sử dụng cho dòng flagship tiếp theo của mình hay không. Dòng Galaxy S23 được trang bị Snapdragon 8 Gen 2 ở tất cả các thị trường. Nhưng với việc Samsung dự kiến ​​sẽ sản xuất chip Exynos 2400 mười lõi, chúng ta có thể thấy công ty Hàn Quốc quay trở lại chiến lược cũ là trang bị cho các điện thoại hàng đầu của mình bằng chip Exynos mới nhất ở tất cả các thị trường ngoại trừ Hoa Kỳ và Trung Quốc. Ở hai thị trường đó, giới chuyên môn kỳ vọng sẽ thấy chip Snapdragon 8 Gen 3 có trong các flagship Galaxy hàng đầu tới đây.

Hoàng Thanh