- Bộ xử lý ứng dụng (AP) Exynos 2400 là một điều ngạc nhiên thú vị và có CPU 10 nhân. Con chip này cũng cung cấp khả năng dò tia được tăng tốc phần cứng, mang lại hiệu ứng ánh sáng chân thực hơn trong trò chơi điện tử như bóng, phản xạ, khúc xạ, vùng sáng và ánh sáng phản xạ. Các bài kiểm tra của Geekbench cho thấy Exynos 2400 SoC mạnh gần bằng Snapdragon 8 Gen 3 SoC.
Vào năm 2023, tất cả các mẫu Galaxy S23 sẽ được trang bị chipset Snapdragon 8 Gen 2 cho Galaxy. Samsung không sản xuất hàng loạt Exynos 2300. Năm nay, với việc Exynos 2400 có khả năng dẫn đầu dòng sản phẩm chủ lực, Samsung đã sử dụng bộ xử lý ứng dụng này trên Galaxy S24 và Galaxy S24+ ở hầu hết các thị trường ngoại trừ Hoa Kỳ và Trung Quốc. Ở những quốc gia đó, hai model này được trang bị chip Snapdragon 8 Gen 3 dành cho Galaxy. Con chip của Qualcomm cũng được sử dụng trên tất cả các đơn vị Galaxy S24 Ultra bất kể chúng được bán ở đâu.
Theo trang Wccftech, Samsung sẽ áp dụng chiến lược tương tự cho dòng Galaxy S25 hàng đầu của năm tới. Điều đó có nghĩa là chúng ta có thể mong đợi Exynos 2500 AP sẽ được tìm thấy bên trong Galaxy S25 và Galaxy S25+ ở tất cả các thị trường ngoại trừ 02 thị trường lớn nhất thế giới gồm Hoa Kỳ và Trung Quốc. Ở những quốc gia đó, các chuyên gia hy vọng con chip Snapdragon 8 Gen 4 dành cho dòng Galaxy sẽ cung cấp sức mạnh cho những mẫu máy đó. Con chip tương tự sẽ được tìm thấy bên trong của tất cả các phiên bản Galaxy S25 Ultra được phát hành ra toàn bộ các thị trường trên thế giới.
Exynos 2400 SoC được bộ phận sản xuất chip Samsung Foundry xây dựng bằng cách sử dụng nút quy trình 4nm. Những tin đồn ban đầu nói rằng, Exynos 2500 SoC sẽ được Samsung Foundry sản xuất bằng quy trình 3nm thế hệ thứ hai. Một rò rỉ trên mạng xã hội "X" được biết đến với tên người dùng là PandaFlash nói rằng, nhờ nút 3nm thế hệ thứ hai được Samsung Foundry sử dụng để sản xuất Exynos 2500, con chip này sẽ tiết kiệm năng lượng hơn so với Snapdragon 8 Gen 4 vốn có thể sẽ được sản xuất sử dụng nút 3nm thế hệ thứ hai của TSMC.
Có sự khác biệt lớn giữa nút 3nm thế hệ thứ hai của Samsung Foundry và nút 3nm thế hệ thứ hai của TSMC liệu có cho phép Exynos 2500 SoC tiết kiệm năng lượng hơn so với Snapdragon 8 Gen 4 SoC? Câu trả lời là có. Điểm khác biệt là nút 3nm thế hệ thứ hai của Samsung sử dụng bóng bán dẫn Gate-All-Around (GAA), nghĩa là cổng bao quanh kênh ở cả bốn phía. Cách sắp xếp này sẽ góp phần làm hạn chế rò rỉ và tăng dòng điện.
Xưởng đúc chip đến từ Đài Loan TSMC sẽ không sử dụng bóng bán dẫn GAA cho đến khi bắt đầu sản xuất vi xử lý ở quy trình 2nm bắt đầu từ nửa cuối năm sau. Cho đến lúc đó, chip 3nm thế hệ thứ hai của TSMC sẽ tiếp tục sử dụng bóng bán dẫn FinFET ngay cả trên các vi xử lý như Snapdragon 8 Gen 4 sắp ra mắt, cung như chip A18 Pro và A18 Bionic sẽ được tích hợp trên dòng iPhone 16 Pro và iPhone 16. Các bóng bán dẫn FinFET cho phép cổng chỉ bao gồm ba kênh.
Đã có báo cáo cho rằng, chipset Snapdragon 8 Gen 4 đang gặp vấn đề về tiêu thụ điện năng buộc các nhà sản xuất phải sử dụng pin 5500mAh lớn hơn để bù đắp cho vấn đề này. Không hẳn chipset Exynos 2500 được đảm bảo là không có vấn đề gì. Vấn đề của Samsung trước đây là sản lượng thấp. Trước đây, Samsung Foundry có năng suất sản xuất 3nm kém 20%. Samsung Foundry được cho là đã tăng hiệu suất lên 60%, đây được cho là một cải tiến lớn nếu thông tin trên là chính xác.
Exynos 2500 và Snapdragon 8 Gen 4 sẽ có khả năng ra mắt vào cuối năm nay.
Hải Linh